互感器介质损耗试验

电流互感器

只对35kV及以上的电流互感器测量一次绕组连同套管一起的介质损耗因数tgδ时试验。其他电流互感器不做这项试验，试验时互感器的二次绕组应接地。

电压互感器

只对35kV的TV进行一次绕组连同套管的介质损耗因数tgδ的测量，其余互感器不进行此项试验，它是检验电压感器绝缘状况的有效方法。但是如果测试方法不对，会影响结果的准确性，甚至造成误判断。

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电流互感器

电压等级35kV及以上互感器的介质损耗角正切值tanδ测量，应符合下列规定：

1  互感器的绕组tanδ测量电压应在10kV测量，tanδ不应大于表9.0.3中数据。当对绝缘性能有怀疑时，可采用高压法进行试验，在(0.5～1)Um 范围内进行，tanδ变化量不应大于0.2%，电容变化量不应大于O.5%；

2  末屏tanδ测量电压为2kV。

注：本条主要适用于油浸式互感器。SF6气体绝缘和环氧树脂绝缘结构互感器不适用，注硅脂等干式互感器可以参照执行。

表9.0.3    tanδ (%)限值

注：电压互感器整体及支架介损受环境条件(特别是相对湿度)影响较大，测量时要加以考虑。

电压互感器

现场多用QS₁型交流电桥进行测量，测量时应将TV的一次绕组短路（或开路），二次绕组必须短路接地，不能将一、二次绕组都开路，因为在高、低压绕组均开路时，流过介质的电容电流形成了绕组的电感与对地分布电容串联，使测得的tgδ增大了，这种现象可用图8—12(a)来说明，其中把高压绕组对地的分布电容及绕组的电感近似地用集中参数C与L来丧示。

从图8—12(a)中可以看出，当TV的高压、低压绕组开路时，流过高压绕组的充电电流会在铁心中建立磁通，产生附加铁损，因而使测出的tgδ值增大；相反，如果高压、低压绕组均短路，如图8 -12(b)所示，充电电流从绕组两端经电容器C而入地，两个电流的大小相等、方向相反，因而在铁心内产生的磁通互相抵消，这时测出的tgδ值才真正反映TV的绝缘状况。河南省电力试验研究所做了大量的试验研究，证实这一结论是正确的。

Q/CSG10007—2004规定：与历次试验结果相比，无明显变化；tgδ(％)不应大于表8—12中数值，支架绝缘tgδ值一般不大于6%。

10kV以下的电容式TV的tgδ值：油纸绝缘不大于0. 5％，膜纸复合绝缘不大于0.4％。

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为了减小测量误差，必须注意以下几点。

    (1)电源变压器一次侧与二次侧很好绝缘与屏蔽，且对地电容量要小。

    (2)调幅、调相电路必须有一定输出阻抗，以免将检流计短路或降低其灵敏度。

    (3)输出端对地绝缘电阻相对要求较高。

    (4)电场干扰下测量高压电气设备绝缘tgδ与C_x，时，根据不同试品与电场干扰情况选择合适的方法，一般可以保证有足够的测量准确度。

    (5)分析表明，电场干扰下用反接线测量套管与电流互感器绝缘的tgδ与C_x时，一般不能用倒相法进行测量和计算出正确的试验结果，但可以按正接线倒相法测量，并计算正确的试验结果。

    (6)存电场干扰下测量高压电气设备绝缘tgδ与C_x时，若使用QS₁型电桥正接线法测量。其干扰影响较反接法测量要小好几倍。为提高测量准确度尽可能选用QS₁型电桥正接线法测量。